基于埋层的垂直结构存储器的制备方法 | |
付英春; 王晓峰; 杨富华 | |
Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
Date Available | 2014-05-07 |
Country | 中国 |
Subtype | 发明 |
Subject Area | 微电子学 |
Application Date | 2014-01-27 |
Application Number | CN201410039896.4 |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25807 |
Collection | 半导体集成技术工程研究中心 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 付英春,王晓峰,杨富华. 基于埋层的垂直结构存储器的制备方法. |
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