| 多位高集成度垂直结构存储器的制备方法 | |
| 付英春; 王晓峰; 杨富华 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2014-09-17 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Subject Area | 微电子学 |
| Application Date | 2014-06-19 |
| Application Number | CN201410276211.8 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25912 |
| Collection | 半导体集成技术工程研究中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 付英春,王晓峰,杨富华. 多位高集成度垂直结构存储器的制备方法. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 多位高集成度垂直结构存储器的制备方法.p（847KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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