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| 硅掺杂的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102130206A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 王科范; 杨晓光; 杨涛; 王占国 Adobe PDF(257Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1501/248  |  提交时间:2012/09/09 |
| 深紫外激光光致发光光谱仪 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102213617A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 金鹏; 王占国 Adobe PDF(681Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1340/225  |  提交时间:2012/09/09 |
| 光伏型InAs量子点红外探测器结构 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910242347.6, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 唐光华; 徐波; 叶小玲; 金鹏; 刘峰奇; 陈涌海; 王占国; 姜立稳; 孔金霞; 孔宁 Adobe PDF(377Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1701/255  |  提交时间:2011/08/31 |
| 掺杂剂锌辅助的自催化法生长InN纳米棒材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910237095.8, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 宋华平; 杨安丽; 郭严; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(400Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1526/243  |  提交时间:2011/08/31 |
| 斜腔面二维光子晶体分布反馈量子级联激光器及制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910092876.2, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 陆全勇; 张伟; 王利军; 刘俊岐; 李路; 刘峰奇; 王占国 Adobe PDF(676Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1837/248  |  提交时间:2011/08/31 |
| 增强n-ZnO/AlN/p-GaN发光二极管的电致发光性能的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102394263A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 尹志岗; 张曙光; 张兴旺; 董敬敬; 高红丽; 施辉东 Adobe PDF(416Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1322/201  |  提交时间:2012/09/09 |
| 增强ZnO基发光二极管紫光电致发光性能的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102394264A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 张兴旺; 张曙光; 尹志岗; 董敬敬; 高红丽; 施辉东 Adobe PDF(399Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1257/183  |  提交时间:2012/09/09 |
| 一种调节GaAs基二维光子晶体微腔共振模式的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910083495.8, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 彭银生; 徐波; 叶小玲; 王占国 Adobe PDF(382Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1534/245  |  提交时间:2011/08/31 |
| 对二氧化硫气体进行检测的装置及方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910083496.2, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 刘万峰; 王利军; 刘峰奇; 王占国 Adobe PDF(477Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1473/271  |  提交时间:2011/08/31 |
| 利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010157517.3, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 郑高林; 杨安丽; 宋华平; 郭严; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(1109Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1423/206  |  提交时间:2011/08/31 |