增强n-ZnO/AlN/p-GaN发光二极管的电致发光性能的方法

	增强n-ZnO/AlN/p-GaN发光二极管的电致发光性能的方法; 增强n-ZnO/AlN/p-GaN发光二极管的电致发光性能的方法
	尹志岗; 张曙光; 张兴旺; 董敬敬; 高红丽; 施辉东
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09
授权国家	中国
专利类型	发明
摘要	本发明公开了一种增强n-ZnO/AlN/p-GaN发光二极管的电致发光性能的方法,该方法是在n-ZnO/AlN/p-GaN发光二极管的n-ZnO薄膜中插入一层Ag纳米颗粒,利用Ag局域态表面等离激元与ZnO近带边发光强的相互耦合作用,来提高n-ZnO/AlN/p-GaN异质结发光二极管电致发光性能。实验发现Ag纳米颗粒的局域态表面等离激元共振峰与ZnO近带边发光峰的位置相近,满足共振耦合条件,且粗糙的Ag纳米颗粒的表面有利于等离激元有效耦合成光且能够明显提高光的抽取效率。利用本发明,显著提高了n-ZnO/AlN/p-GaN异质结发光二极管电致发光性能。
部门归属	中科院半导体材料科学重点实验室
专利号	CN102394263A
语种	中文
专利状态	公开
申请号	CN201110373547.2
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23473
专题	中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	尹志岗,张曙光,张兴旺,等. 增强n-ZnO/AlN/p-GaN发光二极管的电致发光性能的方法, 增强n-ZnO/AlN/p-GaN发光二极管的电致发光性能的方法. CN102394263A.

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