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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  Lu, Guangze;   Lv, Zunren;   Zhang, Zhongkai;   Yang, Xiaoguang;   Yang, Tao
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  Yang, Xiaoguang;  Wang, Kefan;  Gu, Yongxian;  Ni, Haiqiao;  Wang, Xiaodong;  Yang, Tao;  Wang, Zhanguo
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  Wang, Ke-Fan;  Gu, Yongxian;  Yang, Xiaoguang;  Yang, Tao;  Wang, Zhanguo
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In(Ga)As/GaAs量子点中间能带太阳能电池的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
Authors:  杨晓光
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  Yang XG;  Yang T;  Wang KF;  Ji HM;  Ni HQ;  Niu ZC;  Wang ZG;  Yang, XG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. tyang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  Yang XG;  Yang T;  Wang KF;  Gu YX;  Ji HM;  Xu PF;  Ni HQ;  Niu ZC;  Wang XD;  Chen YL;  Wang ZG;  Yang, T, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. tyang@semi.ac.cn
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硅掺杂的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102130206A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
Inventors:  王科范;  杨晓光;  杨涛;  王占国
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锑辅助生长的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102176490A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
Inventors:  杨晓光;  杨涛
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磷化镓铝应力补偿的砷化铟量子点太阳电池制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010217374.0, 公开日期: 2011-08-31
Inventors:  王科范;  杨晓光;  杨涛;  王占国
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硅基高晶体质量InAsSb平面纳米线的生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
Inventors:  杨涛;  杜文娜;  杨晓光;  王小耶;  季祥海;  王占国
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