利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法
郑高林; 杨安丽; 宋华平; 郭严; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2011-08-31
授权国家中国
专利类型发明
摘要本发明公开了一种利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法,包括:步骤1:取一衬底;步骤2:采用MOCVD法生长非极性A面ZnO缓冲层;步骤3:采用MOCVD方法,通入铟源和氮源,在该非极性A面ZnO缓冲层上生长非极性A面InN薄膜;步骤4:关闭铟源,并在反应室温度降到300摄氏度以下关闭氮源,完成A面非极性InN薄膜的生长。本发明利用A面ZnO作为缓冲层以降低外延失配度,可以获得高质量的非极性A面InN薄膜,该方法可应用于高速微电子器件、发光二极管和太阳能电池中。
部门归属中科院半导体材料科学重点实验室
专利号CN201010157517.3
语种中文
专利状态公开
申请号CN201010157517.3
专利代理人周国城
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22215
专题中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
郑高林,杨安丽,宋华平,等. 利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法. CN201010157517.3.
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