光伏型InAs量子点红外探测器结构
唐光华; 徐波; 叶小玲; 金鹏; 刘峰奇; 陈涌海; 王占国; 姜立稳; 孔金霞; 孔宁
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2011-08-31
授权国家中国
专利类型发明
摘要一种光伏型InAs量子点红外探测器结构,包括:一GaAs衬底;一GaAs底接触层制作在重掺杂或半绝缘GaAs衬底上;一未掺杂的下GaAs隔离层制作在GaAs底接触层上面的一侧,在GaAs底接触层的另一侧形成一台面;一5-100个周期的InAs/AlGaAs/GaAs结构层制作在未掺杂的下GaAs隔离层上,该5-100个周期的InAs/AlGaAs/GaAs结构层是实现红外探测的核心部位;一GaAs顶接触层制作在5-100个周期的InAs/AlGaAs/GaAs结构层上;该GaAs顶接触层进行高浓度掺杂从而实现与电极材料的欧姆接触;一上电极制作在GaAs顶接触层的中间部位;一下电极制作在GaAs底接触层上的台面上,该下电极可以收集电子,输出电流或电压信号;所述上电极与下电极一起能构成探测器检测回路。
部门归属中科院半导体材料科学重点实验室
专利号CN200910242347.6
语种中文
专利状态公开
申请号CN200910242347.6
专利代理人汤保平
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22237
专题中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
唐光华,徐波,叶小玲,等. 光伏型InAs量子点红外探测器结构. CN200910242347.6.
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