| 光伏型InAs量子点红外探测器结构 |
| 唐光华; 徐波; 叶小玲 ; 金鹏; 刘峰奇; 陈涌海; 王占国; 姜立稳; 孔金霞; 孔宁
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-31
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种光伏型InAs量子点红外探测器结构，包括：一GaAs衬底；一GaAs底接触层制作在重掺杂或半绝缘GaAs衬底上；一未掺杂的下GaAs隔离层制作在GaAs底接触层上面的一侧，在GaAs底接触层的另一侧形成一台面；一5-100个周期的InAs/AlGaAs/GaAs结构层制作在未掺杂的下GaAs隔离层上，该5-100个周期的InAs/AlGaAs/GaAs结构层是实现红外探测的核心部位；一GaAs顶接触层制作在5-100个周期的InAs/AlGaAs/GaAs结构层上；该GaAs顶接触层进行高浓度掺杂从而实现与电极材料的欧姆接触；一上电极制作在GaAs顶接触层的中间部位；一下电极制作在GaAs底接触层上的台面上，该下电极可以收集电子，输出电流或电压信号；所述上电极与下电极一起能构成探测器检测回路。 |
| 部门归属 | 中科院半导体材料科学重点实验室
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| 专利号 | CN200910242347.6
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN200910242347.6
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| 专利代理人 | 汤保平
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22237
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| 专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
唐光华,徐波,叶小玲,等. 光伏型InAs量子点红外探测器结构. CN200910242347.6.
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