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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  Yang, Xiaoguang;  Wang, Kefan;  Gu, Yongxian;  Ni, Haiqiao;  Wang, Xiaodong;  Yang, Tao;  Wang, Zhanguo
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量子点中间带和黑硅太阳电池研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
Authors:  王科范
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  Xu, Wenqing;  Qu, Shengchun;  Wang, Kefan;  Bi, Yu;  Liu, Kon;  Wang, Zhanguo
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  Yang XG;  Yang T;  Wang KF;  Ji HM;  Ni HQ;  Niu ZC;  Wang ZG;  Yang, XG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. tyang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  Yang XG;  Yang T;  Wang KF;  Gu YX;  Ji HM;  Xu PF;  Ni HQ;  Niu ZC;  Wang XD;  Chen YL;  Wang ZG;  Yang, T, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. tyang@semi.ac.cn
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硅掺杂的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102130206A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
Inventors:  王科范;  杨晓光;  杨涛;  王占国
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磷化镓铝应力补偿的砷化铟量子点太阳电池制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010217374.0, 公开日期: 2011-08-31
Inventors:  王科范;  杨晓光;  杨涛;  王占国
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制备超饱和硫系元素掺杂硅的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-02-20, 2013-02-20
Inventors:  王科范;  刘孔;  曲胜春;  王占国
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一种超饱和掺杂半导体薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-08-28
Inventors:  王科范;  张华荣;  彭成晓;  曲胜春;  王占国
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硫族元素超饱和掺杂硅红外探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-04-30
Inventors:  王科范;  彭成晓;  刘孔;  谷城;  曲胜春;  王占国
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