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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu K;  Zhang YY;  Wei TB;  Lan D;  Sun B;  Zheng HY;  Lu HX;  Chen Y;  Wang JX;  Luo Y;  Li JM
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, YY;  Xie, HZ;  Zheng, HY;  Wei, TB;  Yang, H;  Li, J;  Yi, XY;  Song, XY;  Wang, GH;  Li, JM
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半导体激光器热沉 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王大拯;  冯晓明;  王俊;  吕卉;  李伟;  刘媛媛;  刘素平;  马骁宇
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  宋海明;  韩海;  赵柏秦;  郑一阳
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zuo YH;  Mao RW;  Zheng YY;  Shi X;  Zhao L;  Shi WH;  Cheng BW;  Yu JZ;  Wang QM;  Zuo, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrat Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yhzuo@red.semi.ac.cn;  maorongwei@red.semi.ac.cn;  yyzheng@asee.buaa.edu.cn;  s810311@163.com;  leizhao@semi.ac.cn;  whshi@red.semi.ac.cn;  cbw@red.semi.ac.cn;  jzyu@red.semi.ac.cn;  qmwang@red.semi.ac.cn
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一种减小霍尔器件失调电压的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-10-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郑一阳;  韩海;  景士平;  梁平
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一种提高霍尔器件抗静电击穿能力的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-10-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郑一阳;  韩海;  景士平;  梁平
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高线性度砷化镓霍尔器件的制备工艺 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-10-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郑一阳;  韩海;  景士平;  梁平
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  郑一阳
Adobe PDF(168Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:597/176  |  提交时间:2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  郑一阳
Adobe PDF(349Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:738/328  |  提交时间:2010/11/23