一种提高霍尔器件抗静电击穿能力的方法
郑一阳; 韩海; 景士平; 梁平
2003-10-22
公开日期2009-06-04 ; 2009-06-11
专利类型发明
申请日期2002-04-05
语种中文
申请号CN02116447
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/3341
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
郑一阳,韩海,景士平,等. 一种提高霍尔器件抗静电击穿能力的方法[P]. 2003-10-22.
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