高线性度砷化镓霍尔器件的制备工艺
郑一阳; 韩海; 景士平; 梁平
2003-10-22
公开日期2009-06-04 ; 2009-06-11
专利类型发明
申请日期2002-04-05
语种中文
申请号CN02116446
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/3339
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
郑一阳,韩海,景士平,等. 高线性度砷化镓霍尔器件的制备工艺[P]. 2003-10-22.
条目包含的文件
文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
02116446.pdf(221KB) 限制开放--请求全文
个性服务
推荐该条目
保存到收藏夹
查看访问统计
导出为Endnote文件
谷歌学术
谷歌学术中相似的文章
[郑一阳]的文章
[韩海]的文章
[景士平]的文章
百度学术
百度学术中相似的文章
[郑一阳]的文章
[韩海]的文章
[景士平]的文章
必应学术
必应学术中相似的文章
[郑一阳]的文章
[韩海]的文章
[景士平]的文章
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。