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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Xiantong Zheng ; Wei Huang ; Hongwei Liang ; Ping Wang ; Yu Liu ; Zhaoying Chen ; Ping Liang ; Mo Li ; Jian Zhang ; Yonghai Chen ; Xinqiang Wang
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| 双色量子点及中波InAs/GaSb二类超晶格红外探测器的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
作者: 黄建亮
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Huang JL (Huang Jian-Liang); Wei Y (Wei Yang); Ma WQ (Ma Wen-Quan); Yang T (Yang Tao); Chen LH (Chen Liang-Hui); Wei, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Nanooptoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wqma@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 刘戬; 胡永红; 张尚剑; 谢亮; 黄永箴; 祝宁华
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| 共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管器件制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 黄应龙; 杨富华; 王良臣; 王建林; 伊小燕; 马龙
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 程文超; 夏建白; 郑文硕; 黄醒良; 金载元; 林三镐; 瑞恩庆; 李亨宰
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 吕振东; 杨小平; 袁之良; 徐仲英; 郑宝真; 许继宗; 陈弘; 黄绮; 周均铭; 王建农; 王玉琦; 葛惟昆
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 方晓明; 黄醒良; 陆卫; 李言谨; 沈学础; 周小川; 钟战天; 蒋建; 徐贵昌; 杜全钢
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| InAs/GaSb二类超晶格红外探测器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11
发明人: 黄建亮; 马文全; 张艳华; 曹玉莲
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| 近零偏时半导体红外光电探测器表面暗电流的测量方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-30
发明人: 李琼; 马文全; 张艳华; 黄建亮
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