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中国科学院半导体研究所机构知识库
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期刊论文
作者:
Gai, Yanqin
;
Tang, Gang
;
Li, Jingbo
;
Gai, Y.(yqgai@semi.ac.cn)
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提交时间:2012/06/14
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Don XM
;
Sun BQ
;
Huang SS
;
Ni HQ
;
Niu ZC
;
Yang FH
;
Jia R
;
Sun BQ Chinese Acad Sci Inst Semicond SKLSM Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: bqsun@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang J (Wang Jun)
;
Li SS (Li Shu-Shen)
;
Lu YW (Lue Yan-Wu)
;
Liu XL (Liu Xiang-Lin)
;
Yang SY (Yang Shao-Yan)
;
Zhu QS (Zhu Qin-Sheng)
;
Wang ZG (Wang Zhan-Guo)
;
Wang, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: junwang07@semi.ac.cn
;
xlliu@semi.ac.cn
;
qszhu@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu JJ
;
Di B
;
Yang GC
;
Li SS
;
Liu, JJ, Hebei Normal Univ, Coll Phys, Shijiazhuang 050016, Peoples R China. 电子邮箱地址: Liujj@mail.hebtu.edu.cn
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提交时间:2010/03/09
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Xu SJ
;
Zheng LX
;
Cheung SH
;
Xie MH
;
Tong SY
;
Yang H
;
Xu SJ,Univ Hong Kong,Dept Phys,Pokfulam Rd,Hong Kong,Hong Kong,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu JJ
;
Zhang SF
;
Li YX
;
Kong XJ
;
Liu JJ,Hebei Normal Univ,Dept Phys,Shijiazhuang 050016,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
Energy band and acceptor binding energy of GaN and AlxGa1-xN
会议论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 75 (2-3), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:
Xia JB
;
Cheah KW
;
Wang XL
;
Sun DZ
;
Kong MY
;
Xia JB Hong Kong Bapitst Univ Dept Phys Hong Kong Hong Kong Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Acceptor Binding Energy
Hole Effective-mass Hamiltonian
Wurtzite Gan
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Xia JB
;
Cheah KW
;
Wang XL
;
Sun DZ
;
Kong MY
;
Xia JB,Hong Kong Bapitst Univ,Dept Phys,Hong Kong,Hong Kong,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chang K
;
Xia JB
;
Chang K,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12