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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  Jia, Yeting;   Wang, Quan;   Chen, Changxi;   Feng, Chun;   Li, Wei;   Jiang, Lijuan;   Xiao, Hongling;   Wang, Qian;   Xu, Xiangang;   Wang, Xiaoliang
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  Shi, Daixing;   Jiang, Lijuan;   Wang, Quan;   Feng, Chun;   Xiao, Hongling;   Li, Wei;   Wang, Xiaoliang
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  Lin, Defeng;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Kang, He;  Wang, Cuimei;  Jiang, Lijuan;  Feng, Chun;  Chen, Hong;  Deng, Qingwen;  Bi, Yang;  Zhang, Jingwen;  Hou, Xun
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  Ding JQ (Ding, Jieqin);  Wang XL (Wang, Xiaoliang);  Xiao HL (Xiao, Hongling);  Wang CM (Wang, Cuimei);  Yin HB (Yin, Haibo);  Chen H (Chen, Hong);  Feng C (Feng, Chun);  Jiang LJ (Jiang, Lijuan)
Adobe PDF(554Kb)  |  Favorite  |  View/Download：1021/286  |  Submit date：2013/03/27
无权访问的条目 期刊论文
Authors:  Bi, Yang;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei;  Yang, Cuibai;  Peng, Enchao;  Lin, Defeng;  Feng, Chun;  Jiang, Lijuan,;  Bi, Y.(ybi@semi.ac.cn)
Adobe PDF(324Kb)  |  Favorite  |  View/Download：1114/370  |  Submit date：2012/06/14
无权访问的条目 期刊论文
Authors:  Bi, Yang;  Wang, XiaoLiang;  Yang, CuiBai;  Xiao, HongLing;  Wang, CuiMei;  Peng, EnChao;  Lin, DeFeng;  Feng, Chun;  Jiang, LiJuan,;  Bi, Y.(ybi@semi.ac.cn)
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一种制备稀磁半导体薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-07-01, 公开日期: 　
Inventors:  姜丽娟
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GaN基高居里温度稀磁半导体的制备和性能研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
Authors:  姜丽娟
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制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810226288.9, 公开日期: 2011-08-31
Inventors:  王晓亮;  张明兰;  肖红领;  王翠梅;  唐健;  冯春;  姜丽娟
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氮化镓基高电子迁移率晶体管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号:  CN102427084A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
Inventors:  王晓亮;  毕杨;  王翠梅;  肖红领;  冯春;  姜丽娟;  陈竑
Adobe PDF(570Kb)  |  Favorite  |  View/Download：1818/447  |  Submit date：2012/08/29