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全耗尽CMOS/SOI工艺 期刊论文
半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 1, 页码: 104-108
Authors:  刘新宇;  孙海峰;  刘洪民;  陈焕章;  扈焕章;  海潮和;  和致经;  吴德馨
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CMOS/SOI 4Kb SRAM总剂量辐照实验 期刊论文
半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 213-216
Authors:  刘新宇;  刘运龙;  孙海锋;  吴德馨;  和致经;  刘忠立
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部分耗尽CMOS/SOI工艺 期刊论文
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 6, 页码: 806
Authors:  刘新宇;  孙海峰;  陈焕章;  扈焕章;  海潮和;  刘忠立;  和致经;  吴德馨
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氮化H_2-O_2合成薄栅氧抗辐照特性 期刊论文
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 12, 页码: 1596
Authors:  刘新宇;  刘运龙;  孙海锋;  海潮和;  吴德馨;  和致经;  刘忠立
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一种新型的SOI灵敏放大器 期刊论文
电子学报, 2001, 卷号: 29, 期号: 6, 页码: 857
Authors:  刘新宇;  孙海峰;  海潮和;  和致经;  吴德馨
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高速全耗尽CMOS/SOI 2000门门海阵列 期刊论文
电子学报, 2001, 卷号: 29, 期号: 8, 页码: 1129
Authors:  刘新宇;  孙海峰;  海朝和;  刘忠立;  吴德馨
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