Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
全耗尽CMOS/SOI工艺 | |
刘新宇; 孙海峰; 刘洪民; 陈焕章; 扈焕章; 海潮和; 和致经; 吴德馨 | |
2003 | |
Source Publication | 半导体学报
![]() |
Volume | 24Issue:1Pages:104-108 |
Abstract | 对全耗尽CMOS/SOI工艺进行了研究,成功地开发出成套全耗尽CMOS/SOI抗辐照工艺,其关键工艺技术包括:氮化H2-O2合成薄栅氧、双栅和注Ge硅化物等技术,经过工艺设计,获得性能良好的抗辐照CMOS/SOI器件和电路(包括101级环振、2000门门海阵列等)其中,nMOS:Vt=0.7V,Vds=4.5-5.2V,μeff=465cm^2/(V·S),PMOS:Vt=-0.8V,Vds=-5~-6.3V,μeff=264cm^2/(V·S),当工作电压为5V时,0.8μm环振单级延迟为45ps。 |
metadata_83 | 中国科学院微电子中心;中科院半导体所 |
Subject Area | 微电子学 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:1297992 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17693 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 刘新宇,孙海峰,刘洪民,等. 全耗尽CMOS/SOI工艺[J]. 半导体学报,2003,24(1):104-108. |
APA | 刘新宇.,孙海峰.,刘洪民.,陈焕章.,扈焕章.,...&吴德馨.(2003).全耗尽CMOS/SOI工艺.半导体学报,24(1),104-108. |
MLA | 刘新宇,et al."全耗尽CMOS/SOI工艺".半导体学报 24.1(2003):104-108. |
Files in This Item: | ||||||
File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
4880.pdf(333KB) | 限制开放 | -- | Application Full Text |
Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
Edit Comment