全耗尽CMOS/SOI工艺

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	全耗尽CMOS/SOI工艺
	刘新宇; 孙海峰; 刘洪民; 陈焕章; 扈焕章; 海潮和; 和致经; 吴德馨
	2003
Source Publication	半导体学报
Volume	24 Issue:1 Pages:104-108
Abstract	对全耗尽CMOS/SOI工艺进行了研究，成功地开发出成套全耗尽CMOS/SOI抗辐照工艺，其关键工艺技术包括：氮化H2-O2合成薄栅氧、双栅和注Ge硅化物等技术，经过工艺设计，获得性能良好的抗辐照CMOS/SOI器件和电路（包括101级环振、2000门门海阵列等）其中，nMOS:Vt=0.7V,Vds=4.5-5.2V,μeff=465cm^2/（V·S），PMOS：Vt=-0.8V,Vds=-5～-6.3V,μeff=264cm^2/(V·S），当工作电压为5V时，0.8μm环振单级延迟为45ps。
metadata_83	中国科学院微电子中心;中科院半导体所
Subject Area	微电子学
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:1297992
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17693
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	刘新宇,孙海峰,刘洪民,等. 全耗尽CMOS/SOI工艺[J]. 半导体学报,2003,24(1):104-108.
APA	刘新宇.,孙海峰.,刘洪民.,陈焕章.,扈焕章.,...&吴德馨.(2003).全耗尽CMOS/SOI工艺.半导体学报,24(1),104-108.
MLA	刘新宇,et al."全耗尽CMOS/SOI工艺".半导体学报 24.1(2003):104-108.

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