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部分耗尽CMOS/SOI工艺 | |
刘新宇; 孙海峰; 陈焕章; 扈焕章; 海潮和; 刘忠立; 和致经; 吴德馨 | |
2001 | |
Source Publication | 半导体学报
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Volume | 22Issue:6Pages:806 |
Abstract | 对部分耗尽CMOS/SOI工艺进行了研究,成功地开发出成套部分耗尽CMOS/SOI抗辐照工艺。其关键工艺技术包括 |
metadata_83 | 中科院微电子中心;中科院半导体所 |
Subject Area | 微电子学 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:533026 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18669 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 刘新宇,孙海峰,陈焕章,等. 部分耗尽CMOS/SOI工艺[J]. 半导体学报,2001,22(6):806. |
APA | 刘新宇.,孙海峰.,陈焕章.,扈焕章.,海潮和.,...&吴德馨.(2001).部分耗尽CMOS/SOI工艺.半导体学报,22(6),806. |
MLA | 刘新宇,et al."部分耗尽CMOS/SOI工艺".半导体学报 22.6(2001):806. |
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