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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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85
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In-Situ Boron and Aluminum Doping and Their Memory Effects in 4H-SiC Homoepitaxial Layers Grown by Hot-Wall LPCVD
会议论文
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2007, Otsu, JAPAN, OCT 14-19, 2007
作者:
Sun, GS
;
Zhao, YM
;
Wang, L
;
Zhao, WS
;
Liu, XF
;
Ji, G
;
Zeng, YP
;
Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1699/274
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提交时间:2010/03/09
In-situ Doping
Boron
Aluminum
Memory Effects
Hot-wall Lpcvd
4h-sic
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang ZG
;
Gao F
;
Li JB
;
Zu XT
;
Weber WJ
;
Wang ZG Univ Elect Sci & Technol China Dept Appl Phys Chengdu 610054 Peoples R China. E-mail Address: zgwang@uestc.edu.cn
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浏览/下载:1137/331
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Fan YM
;
Zhang XW
;
You JB
;
Tan HR
;
Chen NF
;
Zhang XW Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xwzhang@semi.ac.cn
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浏览/下载:1032/329
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang XW (Zhang Xing-Wang)
;
You JB (You Jing-Bi)
;
Chen NF (Chen Nuo-Fu)
;
Zhang, XW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xwzhang@semi.ac.cn
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浏览/下载:818/217
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提交时间:2010/03/29
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Ye F
;
Wang BS
;
Su ZB
;
Ye, F, Tsing Hua Univ, Ctr Adv Study, Beijing 100084, Peoples R China.
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浏览/下载:1078/260
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang XW
;
Yin H
;
Boyen HG
;
Ziemann P
;
Ozawa M
;
Zhang, XW, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, CAS,POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xwzhang@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:710/141
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提交时间:2010/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Li MW
;
Hu WR
;
Chen NH
;
Zeng DL
;
Tang ZM
;
Li MW,Chongqing Univ,Inst Power Engn,Chongqing 400044,Peoples R China.
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浏览/下载:982/348
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提交时间:2010/08/12
Semi-insulating GaAs grown in outer space
会议论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 75 (2-3), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:
Chen NF
;
Zhong XR
;
Lin LY
;
Xie X
;
Zhang M
;
Chen NF Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1428/315
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提交时间:2010/11/15
Gaas
Outer Space
Microgravity
Integrated Circuit
Semiinsulating Gallium-arsenide
Lec-gaas
Defects
Stoichiometry
Segregation
Carbon
Boron
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chen NF
;
Zhong XR
;
Lin LY
;
Xie X
;
Zhang M
;
Chen NF,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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浏览/下载:959/260
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liang JJ
;
Chen WD
;
Wang YQ
;
Chang Y
;
Wang ZG
;
Liang JJ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
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浏览/下载:925/228
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提交时间:2010/08/12