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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研... [22]
作者
文献类型
会议论文 [22]
发表日期
1998 [22]
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英语 [22]
出处
INTEGRATED... [9]
SEMICONDUC... [7]
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Design and fabrication of GaAs OMIST photodetector
会议论文
INTEGRATED OPTOELECTRONICS II, 3551, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 18-19, 1998
作者:
Kang XJ
;
Lin SM
;
Liao QW
;
Gao JH
;
Liu SA
;
Cheng P
;
Wang HJ
;
Zhang CH
;
Wang QM
;
Kang XJ Acad Sinica Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Photodetector
Oxidation
Materials Growth
Bandpass filter by a stretch and double-exposure technique
会议论文
FIBER OPTIC COMPONENTS AND OPTICAL COMMUNICATIONS II, 3552, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 18-19, 1998
作者:
Zhou KM
;
An G
;
Ge H
;
Wang W
;
Zhang L
;
Bennion I
;
Zhou KM Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Res Ctr Optoelect Technol Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
A study on GaP/Si heterostructures grown by GS-MBE
会议论文
INTEGRATED OPTOELECTRONICS II, 3551, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 18-19, 1998
作者:
Yu JZ
;
Chen BW
;
Yu Z
;
Wang QM
;
Yu JZ Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1054/241
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提交时间:2010/10/29
Gap/si Heterostructure
Gs-mbe
Lattice Match
X-ray Double Crystal Diffraction
Photoluminescence (Pl)
The SPER and characteristics of Si1-yCy alloys
会议论文
INTEGRATED OPTOELECTRONICS II, 3551, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 18-19, 1998
作者:
Yu Z
;
Yu JZ
;
Cheng BW
;
Lei ZL
;
Li DZ
;
Wang QM
;
Liang JW
;
Yu Z Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Si1-ycy Alloys
Ion implantatIon
Solid Phase Epitaxy Recrystallization
Preparation and photoluminescence of nc-Si/SiO2 MQW
会议论文
INTEGRATED OPTOELECTRONICS II, 3551, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 18-19, 1998
作者:
Cheng BW
;
Yu JZ
;
Yu Z
;
Lei ZL
;
Li DZ
;
Wang QM
;
Cheng BW Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
On the nature of iron in InP: A FTIR study
会议论文
INTEGRATED OPTOELECTRONICS II, 3551, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 18-19, 1998
作者:
Han YJ
;
Liu XL
;
Lao JH
;
Lin LY
;
Han YJ Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Iron
Phonon Sideband
Semi-insulating
Inp
Dynamics of formation of defects in annealed InP
会议论文
INTEGRATED OPTOELECTRONICS II, 3551, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 18-19, 1998
作者:
Han YJ
;
Liu XL
;
Jiao JH
;
Lin LY
;
Han YJ Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Defects Formation
Hydrogen Related Defects
Semi-insulating
Inp
Growth of Fe doped semi-insulating InP by LP-MOCVD
会议论文
INTEGRATED OPTOELECTRONICS II, 3551, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 18-19, 1998
作者:
Yan XJ
;
Zhu HL
;
Wang W
;
Xu GY
;
Zhou F
;
Ma CH
;
Wang XJ
;
Tian HL
;
Zhang JY
;
Wu RH
;
Wang QM
;
Yan XJ Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Semi-insulating
Fe-doped
Mocvd
High performance 1.55 mu m InGaAsP/InP strained layer quantum well laser diodes fabricated by MOCVD overgrowth method
会议论文
SEMICONDUCTOR LASERS III, 3547, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 16-18, 1998
作者:
Ma XY
;
Cao Q
;
Wang ST
;
Guo L
;
Wang ZM
;
Wang LM
;
He GP
;
Yang YL
;
Zhang HQ
;
Zhou XN
;
Chen LH
;
Ma XY Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1178/273
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提交时间:2010/10/29
Ingaasp
Strained Layer Quantum Well
Laser Diode
Mocvd
Growth and fabrication of high performance 980nm strained InGaAs quantum well lasers using novel hybrid material system of InGaAsP and AlGaAs
会议论文
SEMICONDUCTOR LASERS III, 3547, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 16-18, 1998
作者:
Yang GW
;
Xu ZT
;
Xu JY
;
Ma XY
;
Zhang JM
;
Chen LH
;
Yang GW Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Strained Quantum Well
Semiconductor Lasers