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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研... [18]
作者
潘教青 [3]
王圩 [3]
徐波 [2]
陈涌海 [2]
金鹏 [1]
文献类型
期刊论文 [13]
专利 [4]
会议论文 [1]
发表日期
2006 [18]
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出处
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共18条,第1-10条
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
第一作者的第一单位
第一作者单位
通讯作者单位
发表日期:2006
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15
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85
90
95
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WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
1.3微米高密度量子点结构及其制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
牛智川
;
方志丹
;
倪海桥
;
韩勤
;
龚政
;
张石勇
;
佟存柱
;
彭红玲
;
吴东海
;
赵欢
;
吴荣汉
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浏览/下载:1643/227
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提交时间:2009/06/11
在解理面上制作半导体纳米结构的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
陈涌海
;
张春玲
;
崔草香
;
徐波
;
金鹏
;
刘峰奇
;
王占国
Adobe PDF(467Kb)
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浏览/下载:1200/186
  |  
提交时间:2009/06/11
包含硅基稀土掺杂发光材料的电致发光器件的制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
张建国
;
成步文
;
余金中
;
王启明
Adobe PDF(749Kb)
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浏览/下载:880/139
  |  
提交时间:2009/06/11
包含硅基高效发光材料的电致发光器件及制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
张建国
;
成步文
;
余金中
;
王启明
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浏览/下载:1019/159
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Han P (Han Ping)
;
Li XQ (Li Xin-Qi)
;
Zhang HY (Zhang Houyu)
;
He GZ (He Guozhong)
;
Yan YJ (Yan Yijing)
;
Yan, YJ, Chinese Acad Sci, Dalian Inst Chem Phys, State Key Lab Mol React Dynam, Dalian 116023, Peoples R China. E-mail: yyan@ust.hk
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浏览/下载:858/192
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang H (Wang H.)
;
Huang Y (Huang Y.)
;
Sun Q (Sun Q.)
;
Chen J (Chen J.)
;
Wang LL (Wang L. L.)
;
Zhu JJ (Zhu J. J.)
;
Zhao DG (Zhao D. G.)
;
Zhang SM (Zhang S. M.)
;
Jiang DS (Jiang D. S.)
;
Wang YT (Wang Y. T.)
;
Yang H (Yang H.)
;
Wang, H, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: wangh@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1130/320
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Huang Y (Huang Y.)
;
Wang H (Wang H.)
;
Sun Q (Sun Q.)
;
Chen J (Chen J.)
;
Li DY (Li D. Y.)
;
Zhang JC (Zhang J. C.)
;
Wang JF (Wang J. F.)
;
Wang YT (Wang Y. T.)
;
Yang H (Yang H.)
;
Wang, H, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: wangh@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1095/315
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Kang TT (Kang Ting-Ting)
;
Liu X (Liu Xianglin)
;
Zhang RQ (Zhang Ri Q.)
;
Hu WG (Hu Wei G.)
;
Cong G (Cong Guangwei)
;
Zhao FA (Zhao Feng-Ai)
;
Zhu Q (Zhu Qinsheng)
;
Kang, TT, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: ktt219@163.com
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浏览/下载:1051/318
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang JG (Zhang Jian-Guo)
;
Wang XX (Wang Xiao-Xin)
;
Cheng BW (Cheng Bu-Wen)
;
Yu JZ (Yu Jin-Zhong)
;
Wang QM (Wang Qi-Ming)
;
Zhang, JG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: jianguochang@yahoo.com
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提交时间:2010/04/11
Nonradiative recombination effect on photoluminescence decay dynamics in GaInNAs/GaAs quantum wells - art. no. 61180Z
会议论文
Ultrafast Phenomena in Semiconductors and Nanostructure Materials X丛书标题: PROCEEDINGS OF THE SOCIETY OF PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS (SPIE), San Jose, CA, JAN 23-25, 2006
作者:
Sun, Z (Sun, Z.)
;
Xu, ZY (Xu, Z. Y.)
;
Yang, XD (Yang, X. D.)
;
Sun, BQ (Sun, B. Q.)
;
Ji, Y (Ji, Y.)
;
Zhang, SY (Zhang, S. Y.)
;
Ni, HQ (Ni, H. Q.)
;
Niu, ZC (Niu, Z. C.)
;
Sun, Z, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1683/401
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提交时间:2010/03/29
Gainnas/gaas Quantum Wells
Optical Properties
Nonradiative Recombination Effect
Time-resolved Photoluminescence
Pl Decay Dynamics
Pl Thermal Quenching
Molecular-beam Epitaxy
Gaasn Alloys
Excitation