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| 带有准光子晶体波导的量子级联激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010175432.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 尹雯; 陆全勇; 张伟; 刘峰奇; 张全德; 刘万峰; 江宇超; 李路; 刘俊岐; 王利军; 王占国
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| 短波长光栅面发射量子级联激光器结构及制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010231191.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 江宇超; 刘俊岐; 陆全勇; 张伟; 郭万红; 李路 ; 刘峰奇; 王利军; 王占国
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| 锥形光子晶体量子级联激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237094.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 张伟; 王利军; 刘俊岐; 李路; 张全德; 陆全勇; 高瑜; 刘峰奇; 王占国
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| 锰掺杂的锑化镓单晶的化学腐蚀方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081473.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 陈晓锋; 陈诺夫; 吴金良; 张秀兰; 柴春林; 俞育德
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| 垂直发射量子级联激光器结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010171511.1, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 郭万红; 刘俊岐; 陆全勇; 张伟; 江宇超; 李路; 王利军; 刘峰奇; 王占国
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| 基于磁光光子晶体的4×4二进制发生器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-10-03
发明人: 郑婉华; 江斌; 王宇飞; 张冶金; 冯志刚
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| 缓解MOCVD工艺中硅衬底与氮化镓薄膜间应力的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-11
发明人: 冯玉霞; 杨少延; 魏鸿源; 焦春美; 孔苏苏
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| 利用硅衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管器件的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-12
发明人: 杨少延; 冯玉霞; 魏鸿源; 焦春美; 赵桂娟; 汪连山; 刘祥林; 王占国
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| 光子晶体定向耦合波导分束器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-10-17
发明人: 郑婉华; 江斌; 王宇飞; 冯志刚
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| 半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人: 项若飞; 汪连山; 赵桂娟; 金东东; 王建霞; 李辉杰; 张恒; 冯玉霞; 焦春美; 魏鸿源; 杨少延; 王占国
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