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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研... [13]
作者
段瑞飞 [1]
魏同波 [1]
侯奇峰 [1]
张明兰 [1]
李京波 [1]
文献类型
期刊论文 [9]
会议论文 [4]
发表日期
2008 [13]
语种
英语 [13]
出处
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共13条,第1-10条
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
第一作者的第一单位
第一作者单位
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发表日期:2008
语种:英语
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期刊论文
作者:
Li, JB
;
Wei, SH
;
Li, SS
;
Xia, JB
;
Li, JB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jbli@semi.ac.cn
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浏览/下载:1274/400
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wei, TB
;
Duan, RF
;
Wang, JX
;
Li, JM
;
Huo, ZQ
;
Yang, JK
;
Zeng, YP
;
Wei, TB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Res & Dev Ctr Semicond Lighting Technol, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: tbwei@semi.ac.cn
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浏览/下载:2224/910
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提交时间:2010/03/08
AlGaN/AlN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs with improved mobility grown by MOCVD
会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:
Tang J
;
Wang XL
;
Chen TS
;
Xiao HL
;
Ran JX
;
Zhang ML
;
Hu GX
;
Feng C
;
Hou QF
;
Wei M
;
Li JM
;
Wang ZG
;
Tang, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1764/433
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提交时间:2010/03/09
Algan/gan Hemts
Native deep level defects in ZnO single crystal grown by CVT method - art. no. 68410I
会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:
Zhao, YW
;
Zhang, F
;
Zhang, R
;
Dong, ZY
;
Wei, XC
;
Zeng, YP
;
Li, JM
;
Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1896/527
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提交时间:2010/03/09
Zinc Oxide
Defect
Vacancy
Characterization of bulk ZnO single crystal grown by a CVT method - art. no. 68410F
会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:
Wei, XC
;
Zhao, YW
;
Dong, ZY
;
Li, JM
;
Wei, XC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1865/508
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提交时间:2010/03/09
Zinc Oxide
X-ray Diffraction
Defects
Single Crystal
The influence of substrate nucleation on HVPE-grown GaN thick films - art. no. 684105
会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:
Wei, TB
;
Duan, RF
;
Wang, JX
;
Li, JM
;
Huo, ZQ
;
Zeng, YP
;
Wei, TB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Res & Dev Ctr Semicond Lighting Technol, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Hvpe
Gan
Nitridation
Polarity
Etching
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang, LX
;
Da Silva, JLF
;
Li, JB
;
Yan, YF
;
Gessert, TA
;
Wei, SH
;
Zhang, LX, Natl Renewable Energy Lab, Golden, CO 80401 USA.
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浏览/下载:941/304
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wei, XC
;
Zhao, YW
;
Dong, ZY
;
Li, JM
;
Wei, XC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xcwei@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chen DY
;
Wang X
;
Wei DY
;
Wang T
;
Xu J
;
Ma ZY
;
Li W
;
Chen KJ
;
Shi WH
;
Wang QM
;
Xu, J, Nanjing Univ, Natl Lab Solid State Microstruct, Nanjing 210093, Peoples R China. 电子邮箱地址: junxu@nju.edu.cn
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浏览/下载:1184/389
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Gai, YQ
;
Yao, B
;
Wei, ZP
;
Li, YF
;
Lu, YM
;
Shen, DZ
;
Zhang, JY
;
Zhao, DX
;
Fan, XW
;
Li, JB
;
Xia, JB
;
Yao, B, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattice & Microstruct, POB 912, Beijing 10083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yaobin196226@yahoo.com.cn
;
jbli@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08