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氮化镓紫外色度探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵德刚;  杨辉
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氮化镓基肖特基势垒高度增强型紫外探测器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-10-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵德刚;  杨辉
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氮化镓基肖特基结构紫外探测器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-10-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵德刚;  杨辉
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利用倒装焊技术制作氮化镓基发光二极管管芯的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张书明;  杨辉
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倒装焊技术制作氮化镓基发光二极管管芯的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨辉;  张书明;  王良臣
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大功率氮化镓基发光二极管的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张书明;  杨辉
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单光子探测装置的结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘伟;  杨富华;  曾宇昕;  郑厚植
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一种氢致解偶合的异质外延用柔性衬底 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-03-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张志成;  杨少延;  黎大兵;  刘祥林;  陈涌海;  朱勤生;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Shen XM;  Zhao DG;  Liu ZS;  Hu ZF;  Yang H;  Liang JW;  Shen, XM, Tongji Univ, Inst Semicond & Informat Technol, 1239 Siping Rd, Shanghai 200092, Peoples R China. 电子邮箱地址: xmshen@mail.tongji.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou, SQ;  Vantomme, A;  Zhang, BS;  Yang, H;  Wu, MF;  Vantomme, A, Katholieke Univ Leuven, Inst Voor Kern Stralingsfys, B-3001 Heverlee, Belgium. 电子邮箱地址: andre.vantomme@fys.kuleuven.ac.be
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