中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郝瑞亭;  周志强;  任正伟;  徐应强;  牛智川
Adobe PDF(621Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1250/190  |  提交时间：2009/06/11
一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郝瑞亭;  周志强;  任正伟;  徐应强;  牛智川
Adobe PDF(752Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1265/150  |  提交时间：2009/06/11
一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郝瑞亭;  周志强;  任正伟;  徐应强;  牛智川
Adobe PDF(753Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1140/168  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou ZW;  Li C;  Lai HK;  Chen SY;  Yu JZ;  Li, C, Xiamen Univ, Dept Phys, Semicond Photon Res Ctr, Xiamen 361005, Peoples R China. 电子邮箱地址: lich@xmu.edu.cn;  jzyu@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(825Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1276/343  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou ZW;  Li C;  Chen SY;  Lai HK;  Yu JZ;  Zhou, ZW, Xiamen Univ, Dept Phys, Semicond Photon Res Ctr, Xiamen 361005, Peoples R China. 电子邮箱地址: xmuzhouzw@yahoo.com.cn
Adobe PDF(48Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1004/290  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou ZW;  Cai ZM;  Li C;  Lai HK;  Chen SY;  Yu JZ;  Li, C, Xiamen Univ, Dept Phys, Semicond Photon Res Ctr, 422 S Siming Rd, Xiamen 361005, Fujian, Peoples R China. 电子邮箱地址: lich@xmu.edu.cn;  jzyu@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(769Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1197/295  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou, ZQ;  Xu, YQ;  Hao, RT;  Tang, B;  Ren, ZW;  Niu, ZC;  Xu, YQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yingqxu@semi.ac.cn
Adobe PDF(374Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1093/296  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  周志文;  蔡志猛;  张永;  蔡坤煌;  周笔;  林桂江;  汪建元;  李成;  赖虹凯;  陈松岩;  余金中;  王启明
Adobe PDF(728Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1276/412  |  提交时间：2010/11/23