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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wu WG; Chang K; Jiang DS ; Li YX; Zheng HZ; Liu HC; Wu WG,Univ Calif Los Angeles,Dept Elect Engn,Los Angeles,CA 90095 USA.
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| Effect of carrier relaxation and emission on photoluminescence of InAs quantum dots 会议论文
PROCEEDINGS OF THE FIFTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON QUANTUM CONFINEMENT: NANOSTRUCTURES, 98 (19), BOSTON, MA, NOV 02-05, 1998
作者: Zhu HJ; Wang ZM; Sun BQ; Feng SL; Jiang DS; Zheng HZ; Zhu HJ Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wang YT; Zhuang Y; Ma WQ; Wang W; Yang XP; Chen ZG; Jiang DS; Zheng HZ; Wang YT,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Res Ctr Optoelect Technol,Beijing 100083,Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 吴文刚; 常凯; 江德生; 李月霞; 郑厚植; Liu H C
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 张耀辉; 江德生; 夏建白; 刘伟; 崔丽秋; 杨小平; 宋春英; 郑厚植; 周增圻; 林耀望
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 徐士杰; 刘剑; 李国华; 郑厚植; 江德生
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