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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu, B;  Zhang, R;  Xie, ZL;  Xiu, XQ;  Li, L;  Kong, JY;  Yu, HQ;  Han, P;  Gu, SL;  Shi, Y;  Zheng, YD;  Tang, CG;  Chen, YH;  Wang, ZG;  Zhang, R, Nanjing Univ, Jiangsu Prov Key Lab Adv Photon & Elect Mat, Nanjing 210093, Peoples R China. 电子邮箱地址: rzhang@nju.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun, Z (Sun, Zheng);  Xu, ZY (Xu, Z. Y.);  Ji, Y (Ji, Yang);  Sun, BQ (Sun, B. Q.);  Wang, BR (Wang, B. R.);  Huang, SS (Huang, S. S.);  Ni, HQ (Ni, H. Q.);  Sun, Z, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zyxu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun Z (Sun Zheng);  Xu ZY (Xu Zhong-Ying);  Ruan XZ (Ruan Xue-Zhong);  Ji Y (Ji Yang);  Sun BQ (Sun Bao-Quan);  Ni HQ (Ni Hai-Qiao);  Sun, Z, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sz3288@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huang, SS (Huang She-Song);  Niu, ZC (Niu Zhi-Chuan);  Ni, HQ (Ni Hai-Qiao);  Zhan, F (Zhan Feng);  Zhao, H (Zhao Huan);  Sun, Z (Sun Zheng);  Xia, JB (Xia Jian-Bai);  Niu, ZC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zcniu@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  孙征;  徐仲英;  阮学忠;  姬扬;  孙宝权;  倪海桥
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1.3微米高密度量子点结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  牛智川;  方志丹;  倪海桥;  韩勤;  龚政;  张石勇;  佟存柱;  彭红玲;  吴东海;  赵欢;  吴荣汉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun Z (Sun Zheng);  Wang BR (Wang Bao-Rui);  Xu ZY (Xu Zhong-Ying);  Sun BQ (Sun Bao-Quan);  Ji Y (Ji Yang);  Ni HQ (Ni Hai-Qiao);  Niu ZC (Niu Zhi-Chuan);  Sun, Z, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: sz3288@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huang SS (Huang Shesong);  Niu ZC (Niu Zhichuan);  Fang ZD (Fang Zhidan);  Ni HQ (Ni Haiqiao);  Gong Z (Gong Zheng);  Xia JB (Xia Jianbai);  Niu, ZC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: zcniu@semi.ac.cn;  fangzhidan@bjut.edu.cn;  zhenggong@strath.ac.uk
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  牛智川;  黄社松;  龚政;  方志丹;  倪海桥;  孙宝权;  李树深;  夏建白
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高击穿电压的高电子迁移率晶体管 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  徐晓华;  倪海桥;  牛智川;  贺正宏;  王建林
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