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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研... [13]
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会议论文 [13]
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2001 [1]
2000 [4]
1999 [1]
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WOS被引频次升序
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Integrated tapered MMI couplers in the silicon-on-insulator technology
会议论文
CLEO(R)/PACIFIC RIM 2001, VOL II, TECHNICAL DIGEST, CHIBA, JAPAN, JUL 15-19, 2001
作者:
Wei HZ
;
Yu JZ
;
Liu ZG
;
Ma HZ
;
Li GH
;
Zhang XF
;
Wang LC
;
Wei HZ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Devices
Integrated multimode interference couplers in silicon-on insulator
会议论文
OPTICAL INTERCONNECTS FOR TELECOMMUNICATION AND DATA COMMUNICATIONS, 4225, BEIJING, PEOPLES R CHINA, NOV 08-10, 2000
作者:
Wei HZ
;
Yu YZ
;
Zhang XF
;
Liu ZL
;
Ma HZ
;
Li GH
;
Shi W
;
Fang CS
;
Wei HZ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab INtegrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Soi
Multimode Interference
Optical Waveguide Device
Integrated Optics
Power Splitters
High efficiency, low vertical divergence angle 980nnn Al-free active region lasers with novel large optical cavity and asymmetrical cladding layers
会议论文
IN-PLANE SEMICONDUCTOR LASERS IV, 3947, SAN JOSE, CA, JAN 24-25, 2000
作者:
Xiu ZT
;
Zhang JM
;
Ma XY
;
Yang GW
;
Shen GD
;
Chen LH
;
Xiu ZT Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Sqw Lasers
Ingaasp
Power
Fiber
Nm
Native oxided AlAs current blocking layer for AIGaInP high brightness light emitting diodes
会议论文
LIGHT-EMITTING DIODES: RESEARCH, MANUFACTURING, AND APPLICATIONS IV, 3938, SAN JOSE, CA, JAN 26-27, 2000
作者:
Wang GH
;
Ma XY
;
Zhang YF
;
Wang ST
;
Li YZ
;
Chen LH
;
Wang GH Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Engn Res Ctr Optoelect Devices Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Native Oxided Alas
Current Blocking Layer
Algainp
High Brightness Light Emitting Diodes
High power 980 nm Al-free strained quantum-well lasers for erbium-doped fiber amplifiers
会议论文
OPTICAL MATERIALS, 14 (3), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:
Chen LH
;
Xu ZT
;
Ma XY
;
Zhang JM
;
Yang GW
;
Xu JY
;
Chen LH Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
High Power
Al-free Laser
Communication
Epitaxy
650nm AlGaInP quantum well lasers for the application of DVD
会议论文
PHOTONICS TECHNOLOGY INTO THE 21ST CENTURY: SEMICONDUCTORS, MICROSTRUCTURES, AND NANOSTRUCTURES, 3899, SINGAPORE, SINGAPORE, DEC 01-03, 1999
作者:
Chen LH
;
Ma XY
;
Guo L
;
Ma J
;
Ding HY
;
Cao Q
;
Wang LM
;
Zhang GZ
;
Yang YL
;
Wang GH
;
Tan MQ
;
Chen LH Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Dvd
Laser Diode
Visible
Algainp
Mocvd
Operation
Diodes
Growth of Fe doped semi-insulating InP by LP-MOCVD
会议论文
INTEGRATED OPTOELECTRONICS II, 3551, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 18-19, 1998
作者:
Yan XJ
;
Zhu HL
;
Wang W
;
Xu GY
;
Zhou F
;
Ma CH
;
Wang XJ
;
Tian HL
;
Zhang JY
;
Wu RH
;
Wang QM
;
Yan XJ Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Semi-insulating
Fe-doped
Mocvd
High performance 1.55 mu m InGaAsP/InP strained layer quantum well laser diodes fabricated by MOCVD overgrowth method
会议论文
SEMICONDUCTOR LASERS III, 3547, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 16-18, 1998
作者:
Ma XY
;
Cao Q
;
Wang ST
;
Guo L
;
Wang ZM
;
Wang LM
;
He GP
;
Yang YL
;
Zhang HQ
;
Zhou XN
;
Chen LH
;
Ma XY Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Ingaasp
Strained Layer Quantum Well
Laser Diode
Mocvd
Growth and fabrication of high performance 980nm strained InGaAs quantum well lasers using novel hybrid material system of InGaAsP and AlGaAs
会议论文
SEMICONDUCTOR LASERS III, 3547, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 16-18, 1998
作者:
Yang GW
;
Xu ZT
;
Xu JY
;
Ma XY
;
Zhang JM
;
Chen LH
;
Yang GW Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Strained Quantum Well
Semiconductor Lasers
Coupled AlxGa1-xAs-AlAs distributed Bragg reflectors for high brightness AlGaInP light emitting diodes
会议论文
DISPLAY DEVICES AND SYSTEMS II, 3560, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 16-17, 1998
作者:
Wang GH
;
Ma XY
;
Zhang YF
;
Peng HI
;
Wang ST
;
Li YZ
;
Chen LH
;
Wang GH Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Engn Res Ctr Optoelect Devices POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Led
Coupled Distributed Bragg Reflector
Mocvd
Algainp