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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang XP;  Yang XH;  Han Q;  Ju YL;  Du Y;  Zhu B;  Wang J;  Ni HQ;  He JF;  Wang GW;  Niu ZC;  Wang, XP, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. xpwang@semi.ac.cn
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用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  闫发旺;  高海永;  樊中朝;  李晋闽;  曾一平;  王国宏;  张会肖;  王军喜;  张扬
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一种互补式金属氧化层半导体磁传感器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  周盛华;  吴南健;  杨志超
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参数化FPGA 设计与验证 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
作者:  杨志超
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砷化镓基1.5微米量子阱结构及其外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  牛智川;  倪海桥;  韩勤;  张石勇;  吴东海;  赵欢;  杨晓红;  彭红玲;  周志强;  熊永华;  吴荣汉
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步进时隙脉冲检测防冲突方法及其电路 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨志超;  周盛华;  吴南健;  李美云
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Peng, HL (Peng Hong-Ling);  Han, Q (Han Qin);  Yang, XH (Yang Xiao-Hong);  Niu, ZC (Niu Zhi-Chuan);  Peng, HL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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一种增加闪锌矿结构锑化铬厚度的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵建华;  邓加军;  毕京峰;  牛智川;  杨富华;  吴晓光;  郑厚植
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无磁场测量稀磁半导体镓锰砷铁磁转变温度的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵建华;  蒋春萍;  郑厚植;  邓加军;  杨富华;  牛智川
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一种新截面形状的绝缘体上硅脊形光波导及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  樊中朝;  余金中;  陈少武;  杨笛
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