中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助

限定条件                
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
集成Ge2Sb2Te5相变栅的无结硅纳米线晶体管研究 学位论文
工学硕士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者:  葛延栋
Adobe PDF(16561Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：185/0  |  提交时间：2023/07/03
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Du, YD;  Han, WH;  Yan, W;  Yang, FH
Adobe PDF(947Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：559/76  |  提交时间：2015/04/02
飞秒激光光刻技术制备T型栅AiGaN/GaN_HEMT的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
作者:  杜彦东
Adobe PDF(2344Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1011/63  |  提交时间：2012/06/25
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Du, YD;  Han, WH;  Yan, W;  Xu, XN;  Zhang, YB;  Wang, XD;  Yang, FH;  Cao, HZ;  Jin, F;  Dong, XZ;  Zhao, ZS;  Duan, XM;  Liu, Y
Adobe PDF(1588Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1088/357  |  提交时间：2013/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  杜彦东;  韩伟华;  颜伟;  张严波;  熊莹;  张仁平;  杨富华
Adobe PDF(531Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：3233/1392  |  提交时间：2012/07/17
SiO2/SiN双层钝化层T型栅AlGaN/GaN HEMT及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102437182A, 公开日期: 2012-09-07, 2012-05-02, 2012-09-07
发明人:  杜彦东;  韩伟华;  颜伟;  张严波;  杨富华
Adobe PDF(344Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1696/383  |  提交时间：2012/09/07
利用光子束超衍射技术制备半导体T型栅电极的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102157361A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-08-17, 2012-09-07
发明人:  颜伟;  杜彦东;  韩伟华;  杨富华
Adobe PDF(370Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1288/336  |  提交时间：2012/09/07
氢气调制本征层能带结构优化非晶硅太阳电池及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102176496A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-09-07, 2012-09-07
发明人:  彭文博;  曾湘波;  刘石勇;  姚文杰;  谢小兵;  肖海波;  杨萍;  王超;  俞育德
Adobe PDF(429Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1296/250  |  提交时间：2012/09/07
半导体晶体管结构及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102280454A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-12-14, 2012-09-07
发明人:  张严波;  韩伟华;  杜彦东;  李小明;  陈艳坤;  杨香;  杨富华
Adobe PDF(941Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1417/342  |  提交时间：2012/09/07
硅纳米线光栅谐振增强型光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102201483A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-09-28, 2011-09-28, 2012-09-07
发明人:  韩伟华;  陈燕坤;  李小明;  张严波;  杜彦东;  杨富华
Adobe PDF(547Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1404/343  |  提交时间：2012/09/07