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一种单模高功率垂直腔面发射激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-10, 2010-08-12
发明人:  渠红伟;  郑婉华;  刘安金;  王 科;  张冶金;  彭红玲;  陈良惠
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低温晶片键合的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-24, 2010-08-12
发明人:  彭红玲;  陈良惠;  郑婉华;  石 岩;  渠红伟;  杨国华;  何国荣
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一种双面键合长波长垂直腔面发射激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-10, 2010-08-12
发明人:  渠红伟;  郑婉华;  刘安金;  王 科;  张冶金;  彭红玲;  陈良惠
Adobe PDF(2122Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1734/262  |  提交时间：2010/08/12
具有梯度带隙势垒吸收层的光泵浦垂直外腔面发射激光器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-02-17, 2010-08-12
发明人:  黄祖炎;  宋国锋;  王 青;  韦 欣;  陈良惠
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一种可重构的乘法器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
发明人:  余洪敏;  陈陵都;  刘忠立
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen L (Chen L.);  Yan S (Yan S.);  Xu PF (Xu P. F.);  Lu J (Lu J.);  Deng JJ (Deng J. J.);  Ji Y (Ji Y.);  Wang KY (Wang K. Y.);  Zhao JH (Zhao J. H.)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huang TM (Huang TianMao);  Chen NF (Chen NuoFu);  Zhang XW (Zhang XingWang);  Bai YM (BaiYiMing);  Yin ZG (Yin ZhiGang);  Shi HW (Shi HuiWei);  Zhang H (Zhang Han);  Wang Y (Wang Yu);  Wang YS (Wang YanShuo);  Yang XL (Yang XiaoLi);  Huang, TM, Chinese AcadSci, InstSemicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: tmhuang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou XL (Zhou X. L.);  Chen YH (Chen Y. H.);  Jia CH (Jia C. H.);  Ye XL (Ye X. L.);  Xu B (Xu Bo);  Wang ZG (Wang Z. G.);  Zhou, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhouxl06@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou XL (Zhou X. L.);  Chen YH (Chen Y. H.);  Liu JQ (Liu J. Q.);  Jia CH (Jia C. H.);  Zhou GY (Zhou G. Y.);  Ye XL (Ye X. L.);  Xu B (Xu Bo);  Wang ZG (Wang Z. G.)
Adobe PDF(225Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1490/411  |  提交时间：2010/08/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yu JL (Yu J. L.);  Chen YH (Chen Y. H.);  Ye XL (Ye X. L.);  Jiang CY (Jiang C. Y.);  Jia CH (Jia C. H.);  Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yhchen@semi.ac.cn
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