一种双面键合长波长垂直腔面发射激光器及其制作方法
渠红伟; 郑婉华; 刘安金; 王 科; 张冶金; 彭红玲; 陈良惠
2010-08-12
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2010-03-10 ; 2010-08-12
授权国家中国
专利类型发明
摘要本发明是一种双面键合长波长垂直腔面发射激光器(VCSEL)及其制作方法。所述激光器包括N电极(1),N型GaAs衬底(2),N型GaAs/AlGaAs材料系的下分布布拉格反射镜(DBR)(3),InP基应变量子阱有源区(4),GaAs/AlGaAs材料系的上DBR(5),其中上DBR(5),由P型DBR(6)和本征DBR(7)组成,SiO2掩膜(8),P电极(9),出光窗口(10)。所述结构和所述方法改进了传统长波长VCSEL的DBR材料折射率差较小,热导、电导差的缺点,不仅可实现很好的电流限制,而且降低材料的吸收损耗、生长的难度和免去二次外延工艺步骤。
申请日期2008-09-03
语种中文
专利状态实质审查的生效
申请号CN200810119582.X
专利代理人王波波:中科专利商标代理有限责任公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13366
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
渠红伟,郑婉华,刘安金,等. 一种双面键合长波长垂直腔面发射激光器及其制作方法[P]. 2010-08-12.
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