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砷化镓基1.5微米量子阱结构及其外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  牛智川;  倪海桥;  韩勤;  张石勇;  吴东海;  赵欢;  杨晓红;  彭红玲;  周志强;  熊永华;  吴荣汉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu, BP;  Wu, DH;  Ni, HQ;  Huang, SS;  Zhan, F;  Xiong, YH;  Xu, YQ;  Niu, ZC;  Wu, DH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattice & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wudonghai@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tangring, I;  Ni, HQ;  Wu, BP;  Wu, DH;  Xiong, YH;  Huang, SS;  Niu, ZC;  Wang, SM;  Lai, ZH;  Larsson, A;  Tangring, I, Chalmers, Dept Microtechnol & Nanosci, S-41296 Gothenburg, Sweden. 电子邮箱地址: ivar.tangring@mc2.chalmers.se
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huang, SS (Huang, Shesong);  Niu, ZC (Niu, Zhichuan);  Ni, HQ (Ni, Haiqiao);  Xiong, YH (Xiong, Yonghua);  Zhan, F (Zhan, Feng);  Fang, ZD (Fang, Zhidan);  Xia, JB (Xia, Jianbai);  Niu, ZC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zcniu@red.semi.ac.cn
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