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碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  胡国新;  马志勇;  冉学军;  王翠敏;  肖红领;  王军喜;  李建平;  曾一平;  李晋闽
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu J;  Jiao YH;  Jin P;  Lv XJ;  Wang ZG;  Wu, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wuju@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Luo WJ (Luo Weijun);  Wei K (Wei Ke);  Chen XJ (Chen Xiaojuan);  Li CZ (Li Chengzhan);  Liu XY (Liu Xinyu);  Wang XL (Wang Xiaoliang);  Luo, WJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: luoweijun@mail.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu, J (Wu, J.);  Jin, P (Jin, P.);  Jiao, YH (Jiao, Y. H.);  Lv, XJ (Lv, X. J.);  Wang, ZG (Wang, Z. G.);  Wu, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wuju@red.semi.ac.cn
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