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氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  马志勇;  冉学军;  肖红领;  王翠梅;  胡国新;  唐健;  罗卫军
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基于TM模激射的圆柱形结构的微盘激光器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨跃德;  黄永箴;  罗贤树;  陈沁
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氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  马志勇;  王晓亮;  冉军学;  胡国新;  肖红领;  王翠梅;  罗卫军
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宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  马志勇;  胡国新;  肖红领;  冉军学;  王翠梅;  罗卫军
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ruan, XZ;  Luo, HH;  Ji, Y;  Xu, ZY;  Umansky, V;  Ji, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, SKLSM, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jyang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou, R;  Sun, BQ;  Ruan, XZ;  Luo, HH;  Ji, Y;  Wang, WZ;  Zhang, F;  Zhao, JH;  Zhou, R, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, SKLSM, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhourong05@semi.ac.cn;  bqsun@red.semi.ac.cn
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量子输运的主方程方法以及在量子点系统中的应用 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
作者:  骆钧炎
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