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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li, Z;  Kang, JJ;  Wang, BW;  Li, HJ;  Weng, YH;  Lee, YC;  Liu, ZQ;  Yi, XY;  Feng, ZC;  Wang, GH
Adobe PDF(1381Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:680/179  |  提交时间:2015/03/19
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li, ZC;  Liu, B;  Zhang, R;  Zhang, Z;  Tao, T;  Xie, ZL;  Chen, P;  Jiang, RL;  Zheng, YD;  Ji, XL
Adobe PDF(345Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:895/239  |  提交时间:2013/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang B;  Li ZC;  Yao R;  Liang M;  Yan FW;  Wang GH;  Wang, B, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lighting R&D Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. wangbing@semi.ac.cn
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一种氮化镓外延中的相变成核的生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010145087.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  王兵;  李志聪;  王国宏;  闫发旺;  姚然;  王军喜;  李晋闽
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GaN基发光二极管的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-30
发明人:  黄亚军;  王莉;  樊中朝;  刘志强;  伊晓燕
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蓝宝石图形衬底的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-24
发明人:  段瑞飞;  季安;  伊晓燕;  王莉;  樊中朝;  郭金霞;  潘岭峰;  黄亚军;  赵冀;  李镇
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半导体发光器件或模组在线多功能测试系统及方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-23
发明人:  赵丽霞;  周子超;  杨华;  王军喜;  李晋闽
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利用双成核层生长高质量氮化镓外延结构的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04
发明人:  梁萌;  李鸿渐;  姚然;  李志聪;  李盼盼;  王兵;  李璟;  伊晓燕;  王军喜;  王国宏;  李晋闽
Adobe PDF(458Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:694/100  |  提交时间:2014/10/31
在图形衬底上生长氮化镓外延结构的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04
发明人:  梁萌;  李鸿渐;  姚然;  李志聪;  李盼盼;  王兵;  李璟;  伊晓燕;  王军喜;  王国宏;  李晋闽
Adobe PDF(393Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:743/115  |  提交时间:2014/10/31
氮化物LED外延结构的生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11
发明人:  梁萌;  李鸿渐;  姚然;  李志聪;  李盼盼;  王兵;  李璟;  伊晓燕;  王军喜;  王国宏;  李晋闽
Adobe PDF(290Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:682/114  |  提交时间:2014/10/31