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| 一种利用图形化衬底提高GaN基LED发光效率的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 闫发旺; 高永海; 张扬; 李晋闽; 曾一平; 王国宏; 张会肖
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhang Z; Zhang R; Xie ZL; Liu B; Li M; Fu DY; Fang HN; Xiu XQ; Lu H; Zheng YD; Chen YH; Tang CG; Wang ZG; Zhang R Nanjing Univ Key Lab Adv Photon & Elect Mat Nanjing 210093 Peoples R China. E-mail Address: rzhang@nju.edu.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Li YH; Walsh A; Chen SY; Yin WJ; Yang JH; Li JB ; Da Silva JLF; Gong XG; Wei SH; Li YH Fudan Univ Dept Phys Shanghai 200433 Peoples R China. E-mail Address: a.walsh@ucl.ac.uk; swei@nrel.gov
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Chen YH; Li C; Zhou ZW; Lai HK; Chen SY; Ding WC; Cheng BW; Yu YD; Li C Xiamen Univ Dept Phys Semicond Photon Res Ctr Xiamen 361005 Peoples R China. E-mail Address: lich@xmu.edu.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wang HL (Wang Hai-Li); Xiong YH (Xiong Yong-Hua); Huang SS (Huang She-Song); Ni HQ (Ni Hai-Qiao); He ZH (He Zhen-Hong); Dou XM (Dou Xiu-Ming); Niu ZC (Niu Zhi-Chuan); Wang, HL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zcniu@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhang Z; Zhang R; Xie ZL; Liu B; Xiu XQ; Li Y; Fu DY; Lu H; Chen P; Han P; Zheng YD; Tang CG; Chen YH; Wang ZG; Wang H; Jiang DS; Zhu JJ; Zhao DG; Liu ZS; Wang YT; Zhang SM; Yang H; Zhang Z Nanjing Univ Jiangsu Prov Key Lab Adv Photon & Elect Mat Nanjing 210093 Peoples R China. E-mail Address: rzhang@nju.edu.cn
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| 量子点-阱红外探测器的结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-09-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王志成; 徐波; 刘峰奇; 陈涌海; 王占国; 石礼伟; 梁凌燕
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| 一种具有薄氮化铪可协变层的硅基可协变衬底材料 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 范海波; 李成明; 陈涌海; 王占国
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| 一种用于氧化锌外延薄膜生长的硅基可协变衬底材料 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 范海波; 李成明; 陈涌海; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Chen P; Zuo YH; Tu XG; Cai DJ; Li SP; Kang JY; Yu YD; Yu JZ; Wang QM; Chen, P, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: pchen@semi.ac.cn
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