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| 一种制备氮化物单晶衬底的氢化物气相外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 段瑞飞 ; 刘喆; 钟兴儒; 魏同波; 马平; 王军喜; 曾一平; 李晋闽
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 林郭强; 曾一平; 段瑞飞; 魏同波; 马平; 王军喜; 刘喆; 王晓亮; 李晋闽
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 马平; 魏同波; 段瑞飞; 王军喜; 李晋闽; 曾一平
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| 制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘喆; 王军喜; 钟兴儒; 李晋闽; 曾一平; 段瑞飞; 马平; 魏同波; 林郭强
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 刘金彬; 陈弘达; 高鹏; 裴为华; 隋晓红
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 刘海军; 高鹏; 陈弘达; 顾明; 许奇明; 刘金彬; 黄北举
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 黄家乐; 毛陆虹; 陈弘达; 高鹏; 刘金彬; 雷晓荃
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 刘金彬; 裴为华; 高鹏; 陈弘达
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| 调制掺杂的氮化镓系发光二极管的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102185052A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 马平; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
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| 氮化镓系发光二极管 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157611.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 马平; 李京波; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
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