SEMI OpenIR

Browse/Search Results:  1-6 of 6 Help

Filters    
Selected(0)Clear Items/Page:    Sort:
CMOS/SOI 4Kb SRAM总剂量辐照实验 期刊论文
半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 213-216
Authors:  刘新宇;  刘运龙;  孙海锋;  吴德馨;  和致经;  刘忠立
Adobe PDF(233Kb)  |  Favorite  |  View/Download:867/264  |  Submit date:2010/11/23
CMOS集成电路用Φ150-200mm外延硅材料 期刊论文
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 12, 页码: 1538
Authors:  王启元;  林兰英;  何自强;  龚义元;  蔡田海;  郁元桓;  何龙珠;  高秀峰;  王建华;  邓惠芳
Adobe PDF(313Kb)  |  Favorite  |  View/Download:943/296  |  Submit date:2010/11/23
氮化H_2-O_2合成薄栅氧抗辐照特性 期刊论文
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 12, 页码: 1596
Authors:  刘新宇;  刘运龙;  孙海锋;  海潮和;  吴德馨;  和致经;  刘忠立
Adobe PDF(268Kb)  |  Favorite  |  View/Download:898/342  |  Submit date:2010/11/23
一种制备薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910090350.0, 公开日期: 2011-08-30
Inventors:  俞育德;  李运涛;  余金中;  陈诺夫;  俞海龙
Adobe PDF(247Kb)  |  Favorite  |  View/Download:748/157  |  Submit date:2011/08/30
一种制备具有微反应池的生物芯片的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910091401.1, 公开日期: 2011-08-30
Inventors:  李运涛;  俞海龙;  徐海华;  俞育德;  余金中
Adobe PDF(300Kb)  |  Favorite  |  View/Download:804/146  |  Submit date:2011/08/30
一种铁电晶体材料的极化方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102122105A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
Inventors:  范学东;  马传龙;  王海玲;  王宇飞;  马绍栋;  郑婉华
Adobe PDF(327Kb)  |  Favorite  |  View/Download:1055/308  |  Submit date:2012/09/09