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基于单个和级联电吸收调制器超短光脉冲的产生 期刊论文
光子学报, 2004, 卷号: 33, 期号: 1, 页码: 53-56
Authors:  王安斌;  伍剑;  张帆;  林金桐;  赵玲娟;  王圩
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简单反射法测量聚合物薄膜线性电光系数的研究 期刊论文
物理学报, 2000, 卷号: 49, 期号: 2, 页码: 262
Authors:  史伟;  房昌水;  潘奇伟;  孟凡青;  顾庆天;  许东;  陈钢进;  余金中
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分子束外延InAs量子点材料的透射电子显微镜研究 期刊论文
北京科技大学学报, 1999, 卷号: 21, 期号: 2, 页码: 182
Authors:  白元强;  莫庆伟;  范缇文
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半绝缘GaAs衬底中位错对MESFETs旁栅效应的影响 期刊论文
半导体学报, 1997, 卷号: 18, 期号: 7, 页码: 558
Authors:  吴巨;  何宏家;  范缇文;  王占国
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MBE自组织生长多层竖直自对准InAs量子点结构的研究 期刊论文
发光学报, 1997, 卷号: 18, 期号: 3, 页码: 228
Authors:  朱东海;  范缇文;  梁基本;  徐波;  朱战萍;  龚谦;  江潮;  李含轩;  周伟;  王占国
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应变Si(1-x)Ge_x/Si异质结材料的GSMBE生长及X射线双晶衍射研究 期刊论文
半导体学报, 1997, 卷号: 18, 期号: 5, 页码: 333
Authors:  邹吕凡;  王占国;  孙殿照;  张靖巍;  李建平;  孔梅影;  林兰英
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As+注入Si1-xGex中应就驰豫的双晶X射线衍射研究 期刊论文
半导体学报, 1996, 卷号: 17, 期号: 12, 页码: 946
Authors:  邹吕凡;  王占国;  孙殿照;  何沙;  范缇文;  张靖巍
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As+注入Si(1-x)Gex的快速退火行为 期刊论文
半导体学报, 1996, 卷号: 17, 期号: 9, 页码: 717
Authors:  邹吕凡;  王占国;  孙殿照;  何沙;  范缇文;  刘学锋;  张靖巍
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GaAs/GaP界面的X射线掠入射衍射分析 期刊论文
半导体学报, 1994, 卷号: 15, 期号: 2, 页码: 119
Authors:  崔树范;  吴兰生;  王观明;  麦振洪;  王春艳;  王玉田;  李梅;  葛中久
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Au/a-Si:H界面X射线光电子能谱和俄歇电子能谱研究 期刊论文
物理学报, 1991, 卷号: 40, 期号: 2, 页码: 275
Authors:  钟战天;  王大文;  廖显伯;  范越;  李承芳;  牟善明
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