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InP衬底上集成增强型和耗尽型HEMT的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-08-26, 公开日期: 4005
发明人:  戴扬
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基于共振隧穿二极管与高电子迁移率晶体管的高速集成电路工艺与设计 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:  戴扬
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Du Rui;  Dai Yang;  Chen Yanling;  Yang Fuhua
Adobe PDF(237Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：921/224  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu, HY;  Meng, ZM;  Dai, QF;  Wu, LJ;  Guo, Q;  Hu, W;  Liu, SH;  Lan, S;  Yang, T;  Lan, S, S China Normal Univ, Sch Informat & Optoelect Sci & Technol, Lab Photon Informat Technol, Guangzhou 510006, Guangdong, Peoples R China. 电子邮箱地址: slan@scnu.edu.cn
Adobe PDF(363Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1222/376  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Du Rui;  Dai Yang;  Yang Fuhua
Adobe PDF(505Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：782/300  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  马龙;  张杨;  戴扬;  杨富华;  曾一平;  王良臣
Adobe PDF(513Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1078/337  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dai Yang;  Huang Yinglong;  Liu Wei;  Ma Long;  Yang Fuhua;  Wang Liangchen;  Zeng Yiping;  Zheng Houzhi
Adobe PDF(357Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：862/269  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ma RM (Ma R. M.);  Dai L (Dai L.);  Huo HB (Huo H. B.);  Yang WQ (Yang W. Q.);  Qin GG (Qin G. G.);  Tan PH (Tan P. H.);  Huang CH (Huang C. H.);  Zheng J (Zheng J.);  Dai, L, Peking Univ, Sch Phys, Beijing 100871, Peoples R China. E-mail: lundai@pku.edu.cn
Adobe PDF(276Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1373/522  |  提交时间：2010/04/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang P (Wang Peng);  Chen NF (Chen Nuofu);  Yin ZG (Yin Zhigang);  Yang F (Yang Fei);  Peng CT (Peng Changtao);  Dai RX (Dai Ruixuan);  Bai YM (Bai Yiming);  Wang, P, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: pwang@semi.ac.cn
Adobe PDF(176Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1225/478  |  提交时间：2010/04/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lu SL;  Jiang DS;  Dai JM;  Yang CL;  He HT;  Ge WK;  Wang JN;  Chang K;  Zhang JY;  Shen DZ;  Wang, JN, Hong Kong Univ Sci & Technol, Dept Phys, Clear Water Bay, Hong Kong, Hong Kong, Peoples R China. E-mail: phjwang@ust.hk
Adobe PDF(81Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1209/320  |  提交时间：2010/04/11