SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
高性能InGaAs/AlAs共振隧穿二极管的研制与器件模拟分析
马龙; 张杨; 戴扬; 杨富华; 曾一平; 王良臣
2007
Source Publication半导体学报
Volume28Issue:4Pages:563-566
Abstract在半绝缘的InP衬底上采用分子束外延的方法生长制备了不同势垒厚度的RTD材料样品,室温下测量的最高峰-谷电流比为18.39.通过模拟得到RTD直流特性与势垒厚度、势阱材料及厚度、隔离层厚度以及掺杂浓度间的关系,对结果进行了分析与讨论.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area微电子学
Funding Organization国家高技术研究发展计划资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2821662
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16313
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
马龙,张杨,戴扬,等. 高性能InGaAs/AlAs共振隧穿二极管的研制与器件模拟分析[J]. 半导体学报,2007,28(4):563-566.
APA 马龙,张杨,戴扬,杨富华,曾一平,&王良臣.(2007).高性能InGaAs/AlAs共振隧穿二极管的研制与器件模拟分析.半导体学报,28(4),563-566.
MLA 马龙,et al."高性能InGaAs/AlAs共振隧穿二极管的研制与器件模拟分析".半导体学报 28.4(2007):563-566.
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