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| 垂直结构GaN基LED的侧壁优化技术 期刊论文
半导体技术, 2011, 卷号: 36, 期号: 3, 页码: 206-209
Authors: 黄亚军; 刘志强 ; 伊晓燕; 王良臣; 王军喜; 李晋闽
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| 阳极氧化铝工艺用于提高LED的出光效率 期刊论文
半导体技术, 2011, 卷号: 36, 期号: 4, 页码: 283-286
Authors: 潘岭峰; 李琪; 刘志强; 王晓峰; 伊晓燕; 王良臣; 王军喜
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| 采用全光学膜体系的垂直结构发光二极管制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors: 伊晓燕; 王良臣; 王国宏; 李晋闽
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| 光学复合膜作电极的GaN功率型LED的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors: 李晋闽; 王晓东; 王国宏; 王良臣; 杨富华
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| GaN基功率型LED的P、N双透明接触电极及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors: 王立彬; 王良臣
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| 一种氮化镓基小芯片LED阵列结构及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors: 王立彬; 伊晓燕; 刘志强; 陈宇; 郭德博; 王良臣
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| 低损伤PECVD沉积致密SiO2的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors: 陈宇; 王良臣; 伊晓燕; 李艳
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| P型氮化镓电极的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors: 陈宇; 王良臣; 伊晓燕
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| GaN基功率型LED的N型欧姆接触电极的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors: 陈宇; 王良臣; 伊晓燕; 郭金霞
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| 界面热应力对InP/Si键合质量的影响 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2008, 卷号: 28, 期号: 2, 页码: 172-175
Authors: 刘志强; 王良臣; 于丽娟; 郭金霞; 伊晓燕; 王立彬; 陈宇; 马龙
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