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| CMOS图像传感器全局曝光像素单元 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102447848A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-05-09, 2012-08-29
发明人: 周杨帆; 吴南健; 曹中祥; 李全良; 秦琦
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| 带间级联激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人: 邢军亮; 张宇; 徐应强; 王国伟; 王娟; 向伟; 任正伟; 牛智川
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| 高速CMOS图像传感器的像素单元及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04
发明人: 曹中祥; 吴南健; 周杨帆; 李全良; 秦琦
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| CMOS图像传感器全局曝光像素单元 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-05-09
发明人: 周杨帆; 吴南健; 曹中祥; 李全良; 秦琦
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| CMOS图像传感器的像素单元及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04
发明人: 曹中祥; 吴南健; 周杨帆; 李全良
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| 在自然氧化的Si衬底上生长InAs纳米线的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11
发明人: 赵建华; 王思亮; 俞学哲; 王海龙
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| InSb/GaSb量子点结构器件及生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-12-11
发明人: 邢军亮; 张宇; 徐应强; 王国伟; 王娟; 向伟; 任正伟; 牛智川
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| 一种具有W型有源区结构的带间级联激光器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-01-29
发明人: 张宇; 邢军亮; 徐应强; 任正伟; 牛智川
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| 双波长锑化物应变量子阱半导体激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-01
发明人: 邢军亮; 张宇; 王国伟; 王娟; 王丽娟; 任正伟; 徐应强; 牛智川
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| InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-25
发明人: 蒋洞微; 向伟; 王娟; 邢军亮; 王国伟; 徐应强; 任正伟; 贺振宏; 牛智川
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