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III-V族磁性半导体量子点和纳米线的分子束外延制备及性能研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
作者:  王思亮
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Meng KK;  Wang SL;  Xu PF;  Chen L;  Yan WS;  Zhao JH;  Zhao, JH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. jhzhao@red.semi.ac.cn
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在自然氧化的Si衬底上生长InAs纳米线的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11
发明人:  赵建华;  王思亮;  俞学哲;  王海龙
Adobe PDF(232Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：591/101  |  提交时间：2014/10/31