中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助

限定条件                    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu XF (Liu Xing-Fang);  Sun GS (Sun Guo-Sheng);  Li JM (Li Jin-Min);  Zhao YM (Zhao Yong-Mei);  Li JY (Li Jia-Ye);  Wang L (Wang Lei);  Zhao WS (Zhao Wan-Shun);  Zeng YP (Zeng Yi-Ping);  Liu, XF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: liuxf@mail.semi.ac.cn
Adobe PDF(580Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1333/335  |  提交时间：2010/04/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu, XF (Zhu, Xianfang);  Wang, ZG (Wang, Zhanguo);  Zhu, XF, Univ Illinois, Mat Res Lab, Urbana, IL 61801 USA. 电子邮箱地址: zhux@xmu.edu.cn;  zgwang@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(5467Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：888/138  |  提交时间：2010/03/29
Homoepitaxial growth and characterization of 4H-SiC epilayers by low-pressure hot-wall chemical vapor deposition 会议论文
Silicon Carbide and Related Materials 2005丛书标题: MATERIALS SCIENCE FORUM, Pittsburgh, PA, SEP 18-23, 2005
作者:  Sun, GS (Sun, Guosheng);  Ning, J (Ning, Jin);  Gong, QC (Gong, Quancheng);  Gao, X (Gao, Xin);  Wang, L (Wang, Lei);  Liu, XF (Liu, Xingfang);  Zeng, YP (Zeng, Yiping);  Li, JM (Li, Jinmin);  Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(981Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1326/203  |  提交时间：2010/03/29
Homoepitaxial Growth  Low-pressure Hot-wall Cvd  Structural And Optical Characteristics  Intentional Doping  Schottky Barrier Diodes  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gan Y (Gan Yu);  Xiang WH (Xiang Wang-Hua);  Zhou XF (Zhou Xiao-Fang);  Zhang GZ (Zhang Gui-Zhong);  Zhang B (Zhang Bing);  Wang YG (Wang Yong-Gang);  Ma XY (Ma Xiao-Yu);  Gan, Y, Tianjin Univ, Key Lab Optoelect Informat & Tech Sci, Minist Educ, Tianjin 300072, Peoples R China. E-mail: rainmangy@yahoo.com.cn
Adobe PDF(399Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1101/416  |  提交时间：2010/04/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu XF;  Sun GS;  Li JM;  Ning J;  Luo MC;  Wang L;  Zhao WS;  Zeng YP;  Liu, XF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: liuxf@mail.semi.ac.cn
Adobe PDF(168Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1302/317  |  提交时间：2010/03/29
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang XF;  Zeng YP;  Wang BQ;  Zhu ZP;  Du XQ;  Li M;  Chang BK;  Wang, XF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: xiaofw@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(169Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1209/352  |  提交时间：2010/04/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun GS (Sun G. S.);  Liu XF (Liu X. F.);  Gong QC (Gong Q. C.);  Wang L (Wang L.);  Zhao WS (Zhao W. S.);  Li JY (Li J. Y.);  Zeng YP (Zeng Y. P.);  Li JM (Li J. M.);  Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: gshsun@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(233Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1168/503  |  提交时间：2010/04/11
Morphological defects and uniformity issues of 4H-SiC homoepitaxial layers grown on off-oriented (0001)Si faces 会议论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 13-19, 2005
作者:  Sun, GS (Sun, G. S.);  Liu, XF (Liu, X. F.);  Gong, QC (Gong, Q. C.);  Wang, L (Wang, L.);  Zhao, WS (Zhao, W. S.);  Li, JY (Li, J. Y.);  Zeng, YP (Zeng, Y. P.);  Li, JM (Li, J. M.);  Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: gshsun@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(233Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1235/281  |  提交时间：2010/03/29
4h-sic  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  肖雪芳;  杨国华;  王国宏;  王树堂;  陈良惠
Adobe PDF(628Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1504/401  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  吴燕;  朱贤方;  王占国
Adobe PDF(653Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：883/272  |  提交时间：2010/11/23