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一种制备稀磁半导体薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-07-01, 公开日期: 　
发明人:  姜丽娟
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu JQ;  Liu FQ;  Li L;  Wang LJ;  Wang ZG;  Liu JQ Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: jqliu@semi.ac.cn
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半导体材料磁性和光学性质的第一性原理研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:  石丽洁
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li L;  Cao;  F;  Wang YD;  Cong ML;  An YP;  Song ZY;  Guo SX;  Liu FQ;  Wang LJ;  Wang, YD, Jilin Univ, Coll Elect Sci & Engn, State Key Lab Integrated Optoelect, Changchun 130012, Peoples R China. E-mail Address: lilei_1982@yahoo.com.cn;  ydingwang@yahoo.com.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang XL;  Chen TS;  Xiao HL;  Tang J;  Ran JX;  Zhang ML;  Feng C;  Hou QF;  Wei M;  Jiang LJ;  Li JM;  Wang ZG;  Wang XL Chinese Acad Sci Ctr Mat Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xlwang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lu QY (Lu, Quan-Yong);  Zhang W (Zhang, Wei);  Wang LJ (Wang, Li-Jun);  Liu JQ (Liu, Jun-Qi);  Li L (Li, Lu);  Liu FQ (Liu, Feng-Qi);  Wang ZG (Wang, Zhan-Guo);  Lu, QY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: fqliu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu FQ (Liu Feng-Qi);  Li L (Li Lu);  Wang LJ (Wang Lijun);  Liu JQ (Liu Junqi);  Zhang W (Zhang Wei);  Zhang QD (Zhang Quande);  Liu WF (Liu Wanfeng);  Lu QY (Lu Quanyong);  Wang ZG (Wang Zhanguo);  Liu, FQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: fqliu@red.semi.ac.cn
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GaN基高居里温度稀磁半导体的制备和性能研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:  姜丽娟
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  黄振;  于斌;  赵国忠;  张存林;  崔利杰;  曾一平
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