已选(0)清除
条数/页: 排序方式: |
| 在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12 发明人: 王鹏飞; 吴东海; 吴兵朋; 熊永华; 詹 峰; 黄社松; 倪海桥; 牛智川 Adobe PDF(412Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1708/296  |  提交时间:2010/08/12 |
| 一种利用稀盐酸选择腐蚀砷化铝制作空气隙结构的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-17, 公开日期: 3998 发明人: 李文兵; 韩 勤; 秦 龙; 杨晓红; 倪海乔; 杜 云; 朱 彬; 鞠研玲 Adobe PDF(670Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1434/234  |  提交时间:2010/03/19 |
| 砷化镓基1.5微米量子阱结构及其外延生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 牛智川; 倪海桥; 韩勤; 张石勇; 吴东海; 赵欢; 杨晓红; 彭红玲; 周志强; 熊永华; 吴荣汉 Adobe PDF(588Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1427/248  |  提交时间:2009/06/11 |
| 1.3微米高密度量子点结构及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 牛智川; 方志丹; 倪海桥; 韩勤; 龚政; 张石勇; 佟存柱; 彭红玲; 吴东海; 赵欢; 吴荣汉 Adobe PDF(629Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1643/227  |  提交时间:2009/06/11 |
| 高击穿电压的高电子迁移率晶体管 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 徐晓华; 倪海桥; 牛智川; 贺正宏; 王建林 Adobe PDF(425Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1304/175  |  提交时间:2009/06/11 |
| 高铟组分镓砷/铟镓砷量子阱结构及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 牛智川; 徐晓华; 倪海桥; 徐应强; 韩勤; 吴荣汉 Adobe PDF(504Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1273/176  |  提交时间:2009/06/11 |
| 气态束源炉瞬态开关控制真空装置 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2004-11-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 牛智川; 倪海桥; 徐晓华; 徐应强; 张纬; 韩勤; 吴荣汉 Adobe PDF(469Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1284/206  |  提交时间:2009/06/11 |