SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共15条,第1-10条 帮助

限定条件            
已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
一种增加闪锌矿结构锑化铬厚度的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵建华;  邓加军;  毕京峰;  牛智川;  杨富华;  吴晓光;  郑厚植
Adobe PDF(336Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1218/141  |  提交时间:2009/06/11
用磁控溅射法在镓砷衬底上外延生长铟砷锑薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  彭长涛;  陈诺夫;  吴金良;  尹志冈;  杨霏
Adobe PDF(349Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1287/150  |  提交时间:2009/06/11
一种新型键合用晶向对准装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2006-11-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈良惠;  郑婉华;  杨国华;  何国荣;  王玉平;  曹青;  郭良;  林学春
Adobe PDF(350Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1416/184  |  提交时间:2009/06/11
一种利用激光对准晶片晶向的方法及装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈良惠;  郑婉华;  杨国华;  何国荣;  王玉平;  曹青;  郭良;  林学春
Adobe PDF(425Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1174/182  |  提交时间:2009/06/11
近场光学固体浸墨透镜型微小孔径激光器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  甘巧强;  宋国峰;  石岩;  杨国华;  钟源;  高建霞;  陈良惠
Adobe PDF(690Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1200/182  |  提交时间:2009/06/11
无磁场测量稀磁半导体镓锰砷铁磁转变温度的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵建华;  蒋春萍;  郑厚植;  邓加军;  杨富华;  牛智川
Adobe PDF(363Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1074/184  |  提交时间:2009/06/11
一种基于半导体光存储器单元的光探测器和光摄像单元 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郑厚植;  李桂荣;  杨富华
Adobe PDF(366Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1315/165  |  提交时间:2009/06/11
一种制备金属铪薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  柴春林;  刘志凯;  陈涌海;  陈诺夫;  王占国
Adobe PDF(1622Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1102/117  |  提交时间:2009/06/11
一种制备金属锆薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  柴春林;  刘志凯;  陈涌海;  陈诺夫;  王占国
Adobe PDF(1501Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1226/153  |  提交时间:2009/06/11
半导体激光器无源对准耦合与高频封装用硅基版 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨华;  朱洪亮;  赵玲娟;  王圩
Adobe PDF(332Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1064/159  |  提交时间:2009/06/11