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| 半绝缘 InP 单晶衬底表面缺陷与杂质 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2013
作者: 刘京明
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 肖海波; 曾湘波; 刘石勇 ; 彭文博; 石明吉; 张长沙
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 肖虎; 孟宪权; 朱振华; 金鹏; 刘峰奇; 王占国
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| 有机染料分子敏化非晶硅/微晶硅太阳电池的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910076560.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 张长沙; 王占国; 石明吉; 彭文博; 刘石勇; 肖海波; 廖显伯; 孔光临; 曾湘波
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| 硅基薄膜叠层太阳能电池隧道结的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910078560.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 石明吉; 曾湘波; 王占国; 刘石勇; 彭文博; 肖海波; 张长沙
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| 利用温度周期调制生长氧化锌材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102206856A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 时凯; 刘祥林; 魏鸿源; 焦春美; 王俊; 李志伟; 宋亚峰; 杨少延; 朱勤生; 王占国
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| 在非极性蓝宝石衬底上生长水平排列氧化锌纳米线的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102191540A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 桑玲; 王俊; 魏鸿源; 焦春美; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
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| 具有宽光谱响应的硅探测器结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102290481A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 刘德伟; 黄永光; 朱小宁; 王熙元; 马丽; 朱洪亮
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| 具有红外响应的表面纳米点硅光电探测器结构的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102227005A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 刘德伟; 黄永光; 朱小宁; 王熙元; 马丽; 朱洪亮
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| 广谱吸收的非晶硅黑硅异质结太阳能电池结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102280513A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 黄永光; 朱小宁; 刘德伟; 王熙元; 马丽; 朱洪亮
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