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无权访问的条目 学位论文
作者:  王栎皓
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  唐海马;  郑中山;  张恩霞;  于芳;  李宁;  王宁娟;  李国花;  马红芝
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氢气调制本征层能带结构优化非晶硅太阳电池及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102176496A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-09-07, 2012-09-07
发明人:  彭文博;  曾湘波;  刘石勇;  姚文杰;  谢小兵;  肖海波;  杨萍;  王超;  俞育德
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相变存储器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010263081.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  马慧莉;  王晓峰;  张加勇;  程凯芳;  王晓东;  季安;  杨富华
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一种平面相变存储器的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010115649.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人:  张加勇;  王晓峰;  马慧莉;  程凯芳;  王晓东;  杨富华
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一种高密度相变存储器的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010139053.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  程凯芳;  王晓峰;  王晓东;  张加勇;  马慧莉;  杨富华
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高迁移率量子点场效应晶体管及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910091632.2, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  李越强;  刘雯;  王晓东;  陈燕玲;  杨富华
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对砷化镓太阳电池帽层进行选择性腐蚀的化学腐蚀液 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237097.7, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  刘雯;  李越强;  王晓东;  陈燕凌;  杨富华
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利用飞秒激光制备金属-半导体接触电极的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010283562.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  徐晓娜;  李越强;  王晓东;  杨富华
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一种纳米尺寸相变存储器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810240934.7, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  张加勇;  王晓峰;  田晓丽;  杨富华;  王晓东
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